奈米电子和数位技术研究与创新机构imec，在Vision 2018展览会上，推出了一款基於电荷耦合器件（CCD）-in-CMOS技术的高速紫外线感应与时间延迟积分（TDI）成像仪。TDI成像仪在近紫外（UV）区域具有70%以上的量子效率，使其可应用於工业机器视觉，尤其是作为半导体制造过程中的检测工具。

新型成像仪采用imec的TDI CCD-in-CMOS技术制造，该技术将CCD TDI像素和CMOS读数结合在一个技术里。

新型成像仪采用imec的TDI CCD-in-CMOS技术制造，该技术将CCD TDI像素和CMOS读数结合在一个技术里。此种整合可以在单线扫描成像仪上实现低杂讯，高灵敏度的TDI性能，以及低功耗，在晶片上整合快速复杂的电路读出。

透过采用imec的背面照明技术与专用抗反射涂层结合，取得紫外线的灵敏度。 通过背面照明，光从背面直接进入成像器，大幅提高了图像传感器的量子效率。靠着增加一个针对UV抗反射的涂层，在250-400nm的近UV区域中达到超过70％的高峰值量子效率。

而对小於可见光波长的高敏感度，使得成像仪能够检测非常小的特徵，这让此技术特别适用於半导体检测应用，例如光罩，晶圆和颗粒检测。

TDI感测器是在200mm晶圆上制造，采imec CCD制程模组内置於130nm CMOS的制程流程中。这种高经济效益的制造流程与其他晶圆级後处理技术兼容，例如光谱滤波器整合，可强化TDI性能。而其成果就是影像感测器具有高灵敏度和高速度（高达300kHz的线更新），且拥有低电耗。

imec影像感测器专案经理Maarten Rosmeulen表示，凭藉这款高速，低功耗的TDI成像仪，我们很高兴能够扩展具有UV感应功能的TDI CCD-in-CMOS影像感测器系列。我们现在可以提供在紫外和可见光范围内具有高量子效率的TDI CCD-in-CMOS影像感测器，并实现丰富的高阶应用，包括远端感测，医学成像和工业机器视觉。