半导体设备大厂应用材料宣布推出应用在12吋晶圆制程的Reflexion LK电化学机械平坦化（Ecmp）系统，该公司在原有的Reflexion LK平台上，采用创新的Ecmp技术，使这套系统成为业界第一个可在65奈米及往后的铜制程与低介电常数制程上，提供高效能、符合成本利益和可延伸解决方案的化学机械研磨（CMP）的应用设备。

应材发表的新系统实行三种研磨头优势，整合了Ecmp制程，并藉由电解改变，高速清除（＞6000埃/每分钟）大量铜层，毋需仰赖研磨下压压力（downforce）。此种技术特别适用在易受损的超低介电常数薄膜，并可以使先进的铜质双崁（dual damascene）结构平坦化，且将浅碟化、氧化物过蚀和缺陷均降至最小（＜0.1/cm2），使磨耗量的成本大幅度降低，低成本的电解液也取代了昂贵的铜研浆。所残留薄且均匀的铜薄膜以及阻障层/线层材质，均能以极低的下压压力有效地移除。

为促进提升性能，Reflexion LK Ecmp系统具备的制程控制特色包含专利整合的iMap径向扫描技术，可提供机台薄膜进入时薄膜厚度的剖面数据，以利精确地控制铜层的清除剖面和终点侦测。增强版的CMP后制程的清洗技术，特别针对清洗低介电常数的疏水性（hydrophobic）薄膜所设计，可补强Ecmp制程，并提供一连串完整的全干燥制程。

应材平坦化与电镀产品事业群总经理奚明（Ming Xi）表示，以65奈米为起点，成功的平坦化技术需要低剪压力，以因应脆弱的低介电常数材质，以降低浅碟化及蚀化。应用材料这套Reflexion LK Ecmp系统除可达成以上目标，与传统的铜制程抛光系统相比，也可提升25％生产力并降低30％的营运成本。