华邦电子规划明年运用8吋厂0.175微米制程，投片生产高密度闪存 (Flash)，预计制程技术将超过旺宏；Atmel控告华邦侵权案，可望于12月16日宣判，华邦电上诉成功将获得每颗0.7美元的保证金退回。

华邦电表示，该公司近期与外商业者签订Flash开发制造合约，正式引进高密度Flash生产技术 (NAND及NOR)，预计明年以0.175微米制程试产数据储存型 (Data)及指令存取型(Code)Flash，制程与英特尔相当。

目前华邦电Flash产品尚属低阶，由华邦一、二厂 (5吋及6吋厂)产出，制程为0.5微米以上，销售美国比率仅占3%左右；四、五厂月产能3万片，明年加入Flash投片后，有充裕产能及制程技术发展32Mb以上高密度产品。