Fairchild宣布其650 V 场截止沟槽式IGBT应用于古瑞瓦特新能源公司最新一代太阳能逆变器中，该公司是家用与商用太阳能应用逆变器制造商。由于使用Fairchild的IGBT，古瑞瓦特将其新型5K-HF太阳能逆变器的功率密度，与之前型号相比提升了20%。

新一代太阳能逆变器采用Fairchild的4L封装650 V场截止沟槽式IGBT

古瑞瓦特副总裁兼研发总监吴良材表示︰「我们的新一代太阳能逆变器率先采用Fairchild的TO247 4L封装IGBT，运用IGBT晶圆及4L封装制程新技术，我们能够透过大幅提高驱动讯号的开关频率充分利用IGBT的特性，从而获得安全工作区，同时不会显著增加半导体的功耗。此外，我们还可以使用较小的磁性元件，从而显著减小系统尺寸并提高性价比。」

Fairchild 高功率工业应用事业部副总裁Jin Zhao 表示︰「有像古瑞瓦特在其超高效率的下一代太阳能逆变器中采用我们的650V场截止沟槽式IGBT，彰显了我们的IGBT特性及功能， 这些IGBT采用Fairchild的创新型场截止技术，为要求较低传导及开关损耗的太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信设备、ESS及PFC应用提供最优化效能。」

古瑞瓦特执行总裁（CEO）丁永强表示︰「提高逆变器的效率及功率密度是古瑞瓦特研发人员长久以来的目标。半导体技术的进步显著减少了我们的逆变器所需的金属部件的比例，这会导致多种好处，包括较小的产品尺寸、较小的重量、更低的成本，及更轻松的传输与存储。我们会在此次成功的基础上更进一步，并继续在我们的太阳能逆变器开发中采用先进技术，从而为客户提供更多价值以及更佳的效率及功率密度， 我们采用更高的开关频率拓扑开发了新的5K-HF逆变器，这是一个更优的布局及新的磁性材料，提供高效率，功率密度共提高20% 以上。 」Fairchild的650V场截止沟槽式IGBT采用全新IGBT技术及创新型封装，因而能够实现这个目标。 （编辑部陈复霞整理）