意法半导体（STMicroelectronics；ST）与Carnot STAR （研究应用科技）协会成员，法国普罗旺斯材料、微电子和奈米电子研究院（包括IM2NP – CNRS／艾克斯－马赛大学／土伦大学／ISEN高等电子与数字技术学院）正式启用其新设立的联合实验室。双方有着多年密切的合作经验，希望能凭借多项成功联合研发专案，开发下一代高可靠性超微（Ultra-miniaturized）电子元件。

意法半导体与法国普罗旺斯材料、微电子和奈米电子研究院设立新联合实验室开发新一代高可靠性超微电子元件。

辐射效应与电气可靠性（Radiation Effects and Electrical Reliability ，REER）联合实验室是一个跨区域的研究机构，汇集马赛、土伦两个城市的IM2NP研究人员及位于格勒诺布尔（Grenoble）附近的意法半导体Crolles实验室技术专业人员。

REER联合实验室的科学专案分为两个主要研究领域：辐射对奈米级数位电路的影响，及奈米级CMOS（Complementary Metal-oxide Semiconductor，互补性氧化金属半导体）技术的电气可靠性。这两个研究方向对于意法半导体及其能否研发可靠性极高的整合电路至关重要。汽车、网路、医疗、航空及保全等应用均对整合电路的可靠性有非常高的要求。

在这些应用领域中，电子元件具有一些的先天限制（包括电场、机械应力、温度等）和特定环境限制（特别是自然或人造辐射源的粒子辐射），是现今整合电路及下一代整合电路面临的严峻挑战。

为预测并减弱辐射效应，半导体工业需要对这些现象进行特性描述、建模及模拟，而如何有效降低辐射效应是新联合实验室的主要研究目标之一。

此外，开发下一代奈米电子技术必须逐一解决诸多的挑战及难题，设计人员必须更清楚地了解在整合电路制程中，每一个步骤可能会面临的问题。联合实验室的研究范围从原子级最重要的现象，到系统、材料、晶片物理性质以及抗辐射电路设计。

这些研发专案以最先进的微电子技术为主要研发专案，例如28奈米及以下的技术节点，特别是意法半导体在Crolles所开发的FD-SOI（完全耗尽型绝缘矽）制程，这让意法半导体成为全球首见开发出最具创新性及指标性的奈米级整合电路。

在启用不久后，联合实验室便受邀参加法国企业总局（Directorate for Enterprises，DGE）、法国国防采购局（French defense procurement agency, DGA）所主导的ENIAC行动与支援计划的欧洲CATRENE集群计画（ European CATRENE cluster），参与多项法国国家级、欧洲和国际合作计划专案。今后五年，联合实验室预计将安排博士级研究人员，在法国政府工业研究培训协议（industrial agreement for training through research, CIFRE）计划资助的国家与民间企业的合作研究活动。（编辑部陈复霞整理）