由于看好明年微软新操作系统Vista上市后，将带动新一波DRAM需求，包括三星、海力士（Hynix）、奇梦达（Qimonda）及台湾四家DRAM厂等，明年均将大举扩大产能，至于NAND供货商如IM Flash、东芝等，则因市占率之争，明年扩产幅度亦充满想象空间。

不过，DRAM厂及NAND厂明年大扩产，后段封测厂明年资本支出却没有同步大增，封测业者预估，明年中旬封测产能恐会再出现大缺浪潮。

微软Vista明年首季即将上市，由于Vista要求PC单机内建DRAM模块容量至少要1GB，绘图卡业者则预估，若游戏软件要跑得顺畅，DRAM模块容量可能要2GB才够。然因现阶段市场中，PC内建DRAM模块容量搭载率平均约850MB至900MB，还有很大的成长空间，也因此全球DRAM厂明年均有庞大的扩产计划进行。

以各家DRAM厂公布的扩产计划来看，三星电子明年DRAM位成长率预估将达九成最为惊人，其余如奇梦达、海力士、尔必达等，明年DRAM位成长率预估亦有三成以上，台湾四家DRAM大厂力晶、茂德、南亚科、华亚科等，明年DRAM位成长率初估亦有四成至五成幅度。

至于NAND供货商部份，虽然三星及海力士等业者，明年扩产主力放在DRAM上，但是光是利用制程微缩，明年产能就可成长约三成幅度，至于日本东芝扩产幅度则最为积极，根据东芝合作伙伴SanDisk表示，十二吋厂Fab3今年底月产能约达7万片，明年中旬计划扩产至11万片，至于Fab4将于明年底正式投片量产。再者，美光及英特尔合资的IM Flash，明年起将调拨二座十二吋厂投片量产，目前已传出有计划合资兴建第三座十二吋厂，新厂将于2008年开始投片。

DRAM厂及NAND厂的扩产动作十分积极，但是除三星、美光、奇梦达等有增加封测产能外，其余如尔必达、IM Flash、东芝、及台湾四家DRAM厂等，主要封测业务均委外代工。以现在力成、南茂集团、硅品、联合科技等全球内存封测厂的明年资本支出，仅较今年成长二成左右，并没有配合上游业者进行同步扩产动作，所以业内预估，明年中旬DRAM及NAND新产能开出后，封测产能就会大缺。