网站Semiconductor Reporter引述市场分析师说法指出，英特尔（Intel）稍早前宣布将部份NOR型闪存（Flash）生产从美国加州移往奥勒冈州Hillsboro 12吋晶圆厂的做法，代表英特尔抵抗三星（Samsung）重登内存芯片龙头的强烈企图心，而目前英特尔全新Flash生产策略也略见雏形。

英特尔先前曾表示，该公司下一代Flash研发生产将移往具备先进制程的奥勒冈州12吋晶圆厂，并计划由该厂负责研发45奈米制程以下Flash，虽英特尔尚未公布计划时程表，但分析师认为，英特尔将向来用在微处理器生产的Flash研发生产移往奥勒冈州12吋厂，主因是为了抵抗市场劲敌三星。

分析师指出，英特尔过去一直将先进制程科技优先用在微处理器产品，如今似乎显示英特尔也可能将新一代的Flash生产导入最新90奈米制程，也就是说，既然奥勒冈州可以生产出90奈米制程最新的微处理器Prescott，亦可将该厂之先进制程优势引进Flash的生产中。

三星具备可同时生产DRAM与Flash的生产线，因此可使产能视市场状况重新调整；而若斥资巨额兴建却仅用做单一产品生产，一来无法发挥弹性配置的优势，二来在市场需求衰弱时也必须面对过低产能利用率所带来的经营风险。