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业者制程转换不顺 DRAM价格下探风险高
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2003年10月27日 星期一

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经济日报报导,全球DRAM厂第四季在制程转换上之情况皆不尽理想,除英飞凌、Hynix等都传出运转不顺情形,台湾DRAM厂华邦电、力晶及南科等业者,也因部分新制程良率偏低,次级产品流入现货市场导致价格有下探风险,惟第四季OEM高阶DRAM出货增加有限,合约价可望持平。

华邦表示,该公司于第三季进入0.13微米,前段制程就出现问题,但一直到制造后期才发现,导致投入1万片晶圆,良率偏低,最后都以次级品卖出,影响最终获利。力晶12吋晶圆厂转入0.13微米制程,也出现相同状况,日前曾被日本尔必达(Elpida)退货20万颗DDR,近期又传出部分良率不佳的次级产品进入市场。至于南科,第三季也出现被OEM合约客户退回重测,增加测试成本的情形。

力晶表示,DRAM厂转进高阶制程领域,都会碰上制程或是良率瓶颈,不过力晶认为,小量次级品对营运成长影响有限。事实上,华邦电、力晶部分次级品及低良率晶圆,近期成为模块市场的抢手货,分别有三家知名模块商,包销了两大DRAM厂的次级晶圆,并将其销往现货市场,导致9月以来,现货价大跌15%。

次级DRAM最大的吸引力就是,价格十分低廉,有些试产出来的晶圆,由于良率不佳,切割、封测的经济效益不足,以整片为单位出脱,模块厂商接手后,自行后段加工,销往现货市场的利益可观。

關鍵字: 动态随机存取内存 
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