物联网（IoT）商机无限。针对物联网低功耗晶片需求，国外晶圆代工大厂GlobalFoundries（格罗方德）推出了22FDX平台，其性能表现与FinFET（鳍式场效电晶体）类似，成本与28nm（奈米）接近，且拥有超低耗电，以及超低漏电等优点。

Globalfoundries技术长Gary Patton表示，FinFET虽是一个不错的选择，但由于设计复杂，加上成本较高，且须多重曝光，对于务联网相关装置厂商而言负担过重。

Globalfoundries技术长Gary Patton表示，FinFET虽是一个不错的选择，但由于设计复杂，加上成本较高，且须多重曝光，对于务联网相关装置厂商而言负担过重；这一类的厂商的要求在成本、功耗、性能表现上只须达到平衡即可。所以对于他们而言，22FDX会是一个较好的选择。

Patton说明，22FDX为一项FD-SOI的技术，只需要28nm FinFET制程的成本，即可得到相同的效能。成本低廉且功耗需求小于0.4V，漏电值约只有1pA；其是由软体控制的基体偏压（Body-bias），可在单一晶片上整合射频（RF）功能，节能省电，对于物联网装置而言是相当合适的选择。

据了解，22FDX是将Oxide Layer（薄型氧化物质层）与Silicon Layer（矽层）堆叠在一起，如此一来，即可改善Short Channel（短通道效应）。

Patton进一步表示，在2016年9月时，该公司也宣布将eMRAM技术加入22FDX平台当中，用以提升晶片写入速度，以及提高续航能力。未来预计也会将eMRAM推展至FinFET制程当中。

Patton认为，eMRAM技术可以提升视觉处理还有3D绘图能力。为了推行此一技术，该公司日前也建立起相关的生态圈－FDXcelerator。此一生态圈中有分别来自EDA、IP、ASIC等领域的合作伙伴，且近期预计还会增加六至七个盟友。

另一方面，GlobalFoundries在14奈米FinFET制程进入量产之后，随即宣布下一阶段将直接投入7奈米制程的相关研发，直接跳过了10nm制程。对此，Patton说明，10奈米制程可提供给客户的价值并不高。 10奈米制程只能算是半个节点，而14奈米直接转入7奈米可以提供客户整个节点的扩充。

据悉，相对于14奈米，7nm制程逻辑密度可以达到17M gates/mm2以上，且性能表现可大于3.5GHz A72，也就是说比14nm更多了30％。