随半导体产业朝更先进制程发展之际，iST宜特材料分析(Material Analysis, MA)检测技术再突破!宜特宣布，TEM材料分析通过国际级客户肯定，验证技术达5奈米制程。

宜特以特殊TEM手法解析3D IC矽穿孔(TSV)制程应力分布的成果。此成果将发表于2016 IEEE/IPFA研讨会。

宜特近期不仅协助多间客户在先进制程产品上完成TEM分析与验证，其技术能量更深获IEEE半导体元件故障分析领域权威组织IPFA（International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits, 积体电路失效分析论坛）肯定，连续数年通过大会审核，于期间发表最新研究成果。

宜特观察发现，近年来，企业为了打造效能更高、功耗更低、体积更小的半导体元件以满足现今智能产品之需求，各大厂在先进制程开发的脚步越来越快，已从前年20奈米、去年14奈米制程，陆续在今年往10奈米、7奈米制程进行量产准备；而多家半导体大厂，今年更已朝5奈米制程进行研发蓝图，因此带动整个供应链的材料分析需求。

宜特表示，材料分析是宜特近年重要布局项目。在产能方面，近三年，以倍增方式持续扩产；在技术方面，去年下半年材料分析技术达10奈米后，即陆续获得重量级半导体客户的委案。

宜特材料分析处处长 陈声宇博士表示，5奈米制程是下一阶段各半导体厂商的竞逐场，宜特科技则在先进制程演进的过程，扮演最佳幕后推手，提供检测验证方案。目前已有国际级半导体客户，朝5奈米制程迈进，宜特则维持24小时运作不间断，以高端的设备规格与技术能量，完成客户验证分析需求。

陈声宇进一步指出，然而，随着摩尔定律在5奈米制程以下将面临物理极限，业界也开始积极寻找微缩制程以外的解决方案，3D IC即为其中最受瞩目的解决方案。此次在IPFA所发表的论文「先进TEM材料分析技术于3D IC矽穿孔(TSV)制程之应用」，即为针对3D IC制程中的分析需求，所提出的新颖分析手法。

陈声宇说明，在3D IC制程中，热应力的产生是一个很重要的议题，需精准的控制在可接受的程度内，否则将会影响产品的可靠度。宜特此次发表之论文​​，乃利用新颖的TEM分析技术，解析出3D IC制程结构的应力分布，精确度可达数个奈米，将可协助客户突破过往应力分析上的限制。