‧SST的 SuperFlash技术与GLOBALFOUNDRIES 55nm LPx结合，实现低功耗、低成本、高可靠度、数据保存性能和高耐用度兼备的客户解决方案

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‧因应智能卡、NFC、IoT、MCU和汽车1级标准应用方面的客户需求不断增长，Microchip（微芯科技）通过其子公司Silicon Storage Technology（SST）与半导体制造技术供货商GLOBALFOUNDRIES共同宣布，基于GLOBALFOUNDRIES 55nm低功耗强化型（LPx）/RF平台的SST 55nm嵌入式SuperFlash非挥发性内存（NVM）产品已通过全面认证并开始投放市场。 GLOBALFOUNDRIES结合了分离闸极单元设计的55nm SuperFlash技术的制程认证测试采用了JEDEC标准。

同时，这一制程技术也符合AEC-Q100 1级认证标准，环境温度范围为摄氏-40度至125度，耐用度达到100K烧写/抹除次数，在摄氏150度的条件下可实现超过20年的数据保存年限。

根据全球知名信息咨询公司IHS预测，2015年汽车半导体市场规模将达到310亿美元，相较于2014年增幅可高达7.5%。 而基于嵌入式闪存的半导体产品则在这一市场占有相当大的比重。

Microchip子公司SST技术授权部副总裁Mark Reiten表示：「嵌入式SuperFlash存储事实上已成为各代工厂生产微控制器、智能卡及各种系统级芯片的标准。 与GLOBALFOUNDRIES的合作为我们搭建先进的55nm嵌入式SuperFlash平台带来了巨大的技术优势，我们与各行业多个客户的业务洽谈也已经在进行当中。 」

GLOBALFOUNDRIES产品管理高级副总裁Gregg Bartlett表示：「GLOBALFOUNDRIES发现市场需要一款低成本的嵌入式闪存平台产品来实现安全的ID、混合信号、NFC/RF及新一代IoT应用。 得益于公司与SST的深度合作，这项基于GLOBALFOUNDRIES高良率的55nm低功耗制程技术平台而实现的55nm SuperFlash技术将有助为各重要行业的客户提供高性能的解决方案。 」

配备eNVM技术的GLOBALFOUNDRIES 55nm LPx/RF平台现已上市。 该平台技术备有一个自定义库，包含针对特定MCU产品应用有现成且经优化的eNVM IP模块，是一款可大幅缩短产品开发周期的解决方案。 （编辑部陈复霞整理）