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Microchip 28奈米SuperFlash嵌入式快闪记忆体解决方案开始量产
优化微控制器、智慧卡和物联网晶片

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2023年09月28日 星期四

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GlobalFoundries、Microchip及其旗下子公司冠捷半导体(SST)今(28)日宣布,采用GF 28SLPe制程的SST ESF3第三代嵌入式SuperFlash技术NVM解决方案即将投产。

采用GlobalFoundries 28SLPe 制程的SST ESF3第三代嵌入式SuperFlash技术NVM 解决方案即将投产。
采用GlobalFoundries 28SLPe 制程的SST ESF3第三代嵌入式SuperFlash技术NVM 解决方案即将投产。

随着边缘智慧化水准的不断提高,嵌入式快闪记忆体的应用也呈爆炸式增长。在家庭和工业物联网以及智慧行动设备的广泛应用,用於安全程式码储存、OTA更新和增强功能的嵌入式记忆体正呈上升趋势。满足这些需求需要创新的平台。

在实施冠捷半导体应用广泛的ESF3 SuperFlash技术方面,GlobalFoundries确立新的行业基准。GlobalFoundries业务长Mike Hogan表示:「GlobalFoundries与冠捷半导体合作,在28SLPe平台上开发、认证并投产这款令人印象深刻的嵌入式NVM解决方案。GlobalFoundries的客户发现,这款解决方案集高效能、出色的可靠性、IP可用性和成本效益於一身,非常适合先进的MCU、复杂的智慧卡及面向消费和工业产品的物联网晶片。」

Microchip 授权业务部门和冠捷半导体??总裁Mark Reiten表示:「过去十年,冠捷半导体与GlobalFoundries紧密合作,将冠捷半导体的行业标准ESF1和ESF3 嵌入式快闪记忆体技术整合到GlobalFoundries的130奈米BCD、55 奈米、40 奈米以及当前的28 奈米制程平台并实现产品化。我们钦佩GlobalFoundries在提供最广泛的嵌入式NVM解决方案方面的领先地位,期待双方的紧密合作关系在未来十年带来更多突破。」

在今天於慕尼黑举行的GlobalFoundries GTS峰会期间,SST在IP合作夥伴区展出其嵌入式快闪记忆体技术。

产品特点

· 成本最低的28奈米HKMG ESF3解决方案,仅增加10个遮罩,包括真正的5V IO CMOS元件

· SST ESF3 位元单元尺寸仅为0.04平方微米,极具竞争力

· 工作温度额定值为-40。C至125。C

· 读取存取时间为次25奈秒(ns)、程式设计时间为10微秒和抹除时间为4毫秒

· 超过100,000次程式设计/抹除??圈的耐用性

· 不影响使用GF 28SLPe平台合格IP的设计流程(EG 流程)

· 可立即提供4Mb至32Mb 的现成巨集程式

· 可从SST或GF获得客制化设计支援

關鍵字: 28奈米  闪存  Microchip 
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