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快閃記憶體應用的控制晶片技術
 

【作者: 黃士德】   2006年05月02日 星期二

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數位相機、手機相機與MP3在這幾年來的成長十分迅速,使得消費者對儲存媒體的需求也急速增加,由於快閃記憶體(Flash)具有資料非揮發性、省電、體積小與無機械結構等的特性,適合可攜式應用,最適合使用於這類可攜式由電池供電的產品上。因此近幾年來Flash產業成為電子產業中相當熱門的一環,不管是上游的Flash晶片供應商,以及生產控制晶片的廠商到下游的記憶卡的製造與通路商,都相當的活絡。


Flash主要可以分為兩大類,一類是Code Flash用來放置系統中微處理器的程式碼,具有讀取速度快與可隨機存取的特性,但晶片容量較低。另一種則是Data Flash,具有循序讀取與大容量的特性,適合作為資料儲存的用途。而Data Flash依照電路架構又可分為NAND、AG-NAND、NROM等,但因為主要的Flash晶片廠商如三星、東芝、海力士與意法半導體都是採用NAND架構,因此我們也常將Data Flash通稱為NAND Flash。NAND Flash的晶片容量技術在這幾年中由於需求暢旺,使得各家廠商紛紛卯足全力一方面擴充產能,一方面用更先進的製程技術來量產,預估在2006年中,單顆容量為8Gb(1GB)就將成為市場主流,而2006年底將就可以看到單顆容量為32Gb(4GB),用MP3做例子,4GB足足可以聽上4000分鐘,而這相當於整整播放三天的音樂卻是僅僅存在一顆晶片中。


各式Flash儲存設備
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