隨著電源要求、法規管制以及效率標準和EMI要求的日趨嚴格，電源越來越需要採用開關功率元件，因為開關功率元件效率更高且工作範圍更寬。與此同時，設計人員持續承受著降低成本和節省空間的壓力，面對這些需求，需要替代經典矽（Si）基MOSFET的產品。

碳化矽（SiC）現已成熟並發展到第三代，已經成為一種明智的選擇。採用SiC架構的FET具有許多性能優勢，其中最為突出的特點是效率更高、可靠性更好、熱管理問題更少，且佔用空間更小。這些產品適用於整個功率範圍，不需要徹底改變設計技術，不過可能需要進行一些調整。
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