由於附設攝影鏡頭的行動電話（以下簡稱為照相手機）與數位相機的畫素數快速增加，造成記錄影像的非揮發性記憶體幾乎都採用快閃記憶體（flash memory）奇特現象，雖然2003年陸續出現新型非揮發性記憶IC，試圖奪取快閃記憶體龐大的市場，不過一般認為今後數年內具備價格優勢的快閃記憶體，仍將持續維持獨霸一隅的局面，未來新型的FeRAM與MRAM將會取代快閃記憶體，成為SoC混載市場的新霸主，不過在此同時「RRAM」的發展動向也備受囑目，因為「RRAM」具備革命性低價實力與動作特性實在不容小覷。

發展經緯

繼FeRAM（強誘電記憶體)、MRAM（Magnetic RAM)與OUM（Ovonic Unified Memory）之後，Sharp早在數年前就悄悄展開RRAM（Resistance RAM）IC的研發，並在2002年12月於舊金山召開的「2002 IDEM（International Electron Devices Meeting）」大會正式對外發表RRAM IC。如(圖一)所示由於RRAM是目前唯一能與具備低成本競爭力的快閃記憶體對抗的非揮發性記憶體，因此一般認為RRAM若能商品化，未來將成為革命性記憶體。在此同時快閃記憶體預定在2007年採用65nm製程量產；NAND Type可望進入55nm製程，這意味著喧騰一時的「物理極限論」，隨著製程微細化，例如以往認為Tunnel SiO2的厚度極限無法超越8nm，不過韓國三星在2002年IDEM卻以7nm的記錄，輕易戳破8nm的極限迷失，使得所謂物理極限論再度受到質疑。
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