帳號:
密碼:
最新動態
產業快訊
CTIMES / 文章 /
簡單閂鎖式過電流錯誤偵測電路介紹
具備快速反應時間

【作者: Andy Fewster,Kevin Frick】   2006年08月07日 星期一

瀏覽人次:【13213】

本文將介紹一個應用於低電壓電路保護,具備快速反應能力的簡易過電流偵測電路。和因電壓過低造成較長啟動延遲的專用熱切換(hot-swap)式控制器不同的是,這個電路可以在輸入電壓超過2.7V的150μs後立即提供保護,同時也可以透過外部P通道切換開關的閘極電壓限制在電源啟動時帶來衝入電流限制功能。


(圖一)顯示了這個閂鎖式過電流錯誤偵測電路的完整電路圖,在加上電源後,比較器輸出COUT接近0V,由Q2與Q3所形成的非反向緩衝器可以確保超低導通電阻、低臨界電壓P通道功率MOSFET Q1的閘極完全強化,流入負載的電流則透過高電壓端的電流感測放大器加以測量,將電流感測電阻RSENSE上的小幅度電壓值轉換成OUT接腳上經調整的對地參考電壓輸出,這個正比於負載電流的電壓更進一步經過閂鎖式非反向比較器的輸入端調整控制。


當負載電流超過R1與R2接點的臨界電壓時,比較器會改變狀態,造成輸出電壓經過R3拉升到高電壓,當閘源極電壓下滑到低於閘極臨界點時,P通道MOSFET將會關閉,而非反向緩衝器Q2~Q3則可以確保Q1閘極足夠的充放電電流,帶來快速的切換反應。
...
...

使用者別 新聞閱讀限制 文章閱讀限制 出版品優惠
一般使用者 10則/每30天 0則/每30天 付費下載
VIP會員 無限制 25則/每30天 付費下載

相關文章
P通道功率MOSFET及其應用
自走式電器上的電池放電保護
頂部散熱MOSFET助提高汽車系統設計的功率密度
單晶片驅動器+ MOSFET(DrMOS)技術 改善電源系統設計
認識線性功率MOSFET
相關討論
  相關新聞
» 3D IC封裝開啟智慧醫療新局 工研院攜凌通開發「無線感測口服膠囊」
» 日本SEMICON JAPAN登場 台日專家跨國分享半導體與AI應用
» Nordic Thingy:91 X平臺簡化蜂巢式物聯網和Wi-Fi定位應用的原型開發
» 豪威集團推出用於存在檢測、人臉辨識和常開功能的超小尺寸感測器
» ST推廣智慧感測器與碳化矽發展 強化於AI與能源應用價值


刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2025 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.1.HK9214A7OU0STACUKS
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: [email protected]