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令人無所適從的未來晶片
 

【作者: 謝馥芸】   2004年03月05日 星期五

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一講到未來晶片,許多想像鏡頭一一出現:上百兆電晶體的晶片、更高速快捷的速度、更多元化功能之晶片等等。未來,總是讓人充滿希望。我們將會有更便利的產品,更舒適的使用功能,這是二十一世紀初科技快速演進下,人類自然會產生的期待。然而,「期待」真的是期待?不是錯覺嗎?


在很習以為常的科技新聞裡,隨便撿個最新、最具代表性的科技技術發表新聞,來證明科技業者滿足了過去市場對今日的期望。2004年2月,IBM在國際固態電路會議(ISSCC)中表示,該公司之矽鍺(SiGe)晶片技術,在每秒位元和時脈頻率上,已證明矽打敗了磷化銦材料,同時IBM針對無線網路,發表60GHz矽鍺收發器計畫。同時間,Intel(英特爾)在英特爾科技論壇(IDF)發表Intel Wireless Flash Memory英特爾第9代快閃記憶體技術,其採用採用90奈米製程技術,該產品每個cell能儲存兩倍的資料量。


然而在此同時,Intel卻對業界大聲疾呼未來將有的危機:「未來晶片熱的像火箭口」。一樣是2004年的2月,英特爾技術長蓋爾辛格對媒體表示,未來十年內,裝有Pentium晶片之電腦,將需要相當於核子反應爐的電力;十年末期,晶片就會熱的像火箭的噴火口;十年後,晶片熱度將媲美恆星太陽的表面。
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