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單晶片驅動器+ MOSFET(DrMOS)技術 改善電源系統設計
 

【作者: ADI】   2022年10月27日 星期四

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本文介紹最新的驅動器+ MOSFET(DrMOS)技術及其在穩壓器模組(VRM)應用中的優勢。單晶片DrMOS元件使電源系統能夠大幅提高功率密度、效率和熱性能,進而增強最終應用的整體性能。


隨著技術的進步,多核架構使微處理器在水準尺度上變得更密集、更快速。因此,這些元件需要的功率急劇增加。微處理器所需的此種電源由穩壓器模組(VRM)提供。


在該領域,推動穩壓器發展的主要有兩個參數。首先是穩壓器的功率密度(單位體積的功率),為了在有限空間中滿足系統的高功率要求,必須大幅提高功率密度。另一個參數是功率轉換效率,高效率可降低功率損耗並改善熱管理。
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