透過整合深寬比捕捉（ART）技術與奈米脊型工程（nano-ridge engineering），愛美科成功在300mm矽基板上成長出砷化鎵（GaAs）或磷化銦鎵（InGaP）的異質接面雙極電晶體（HBT），實現5G毫米波頻段的功率放大應用。

前四代的行動通訊技術在傳輸頻率方面的變革，一向呈現逐步演進，而非革命性的。操作頻率從僅不到十億赫（GHz），躍升至好幾十億赫，而頻寬也從幾十千赫（kHz）擴展至幾十百萬赫（MHz）。

從這些傳輸特性來看，第五代行動通訊技術（5G）可說是脫離過往所有技術的激進變革。5G的部分傳輸工作仍會使用一些GHz頻率—也就是sub-6 GHz頻段，但除此之外，它還使用了毫米波頻段，也因此，現行的網路頻段需要處理相關的頻寬限制問題。
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