Flash技術依記憶胞結構可分為2類，如(圖一)所示，NOR型之記憶胞每個記憶胞與BIT LINE相接，其記憶胞的面積較大，但具有較快之隨機存取速度。NAND型的記憶胞約16～32個記憶胞相串聯後才接到BIT LINE上，記憶胞面積較小，但串列式數據存取的速度較快。因此，NOR型的快閃記憶體適用於快速隨機存取之產品，以程式碼儲存之應用為主，密度超過64Mb以上。NAND型的快閃記憶體適用於作串列式大量資料存取之產品，故一般適用於資料碼儲存之應用，密度超過512Mb以上。(圖二)顯示各種不同的Flash記憶胞結構及開發廠商，其中由Hitachi提供之NAND型快閃記憶體為多層記憶胞結構（Mult-level Cell），每個記憶胞可提供2bit的存取，使其在高密度之資料碼儲存的競爭上具有很好的優勢。
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