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雷射辅助切割研磨碳化矽效率
提升化合物半导体产业竞争力

【作者: 陳念舜】2023年12月26日 星期二

浏览人次:【4537】

目前在提升再生能源装置容量和能源效率,皆有高度关联性的关键技术,莫过於利用化合物半导体来制造高效能功率半导体元件,以承受高电压、高温冲击。台湾厂商还具备过去多年来於矽基半导体产业累积的基础,且有如工研院等法人单位辅导,正积极投入建立材料开发、雷射辅助加工制程等测试验证平台和服务,将加速产业聚落成型。


尤其是伴随着交通运具电动化与提升能源效率等需求,包括:碳化矽(SiC)、氮化??(GaN)、InP、Ga2O3、AIN等化合物半导体,因为比起传统矽基材料(Si-based)具备更宽裕的能隙特性,用来制造高效能功率半导体晶片元件,将可有效减省约50%电能转换损耗、20%电源转换系统成本,所以极适合提供高功率(>400V)、高电能转换效率应用,满足耐高压(>800V)、高温及高频需求。


工研院在2023年举行的「南台湾策略论坛」也指出,如今化合物半导体已逐渐导入电动车及充电桩、再生能源发电与传输,甚至是低轨卫星、5G/6G高频通讯、人工智慧(AI)基础装置、工业设备等低碳生活模式,减省充电时间和电池成本,而极富有战略意义。依工研院南分院预估其中SiC晶圆市场快速成长(CAGR~15%),2028年全球规模将达到17亿美元。
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