SSD读写次数受限

随着半导体制程不断进步，单颗NAND Flash储存容量也因此提升许多，从以往256MB到现在16GB，市场单价不断降低也有助于扩展市场应用的接受度。以电子储存为基础的固态硬碟SSD和记忆体模组设计，结合控制IC和NAND Flash，利用传统区块写入抹除方式并仰赖读写存取的设计效能，具备低耗电、重量轻、尺寸小、无噪音、耐震、开机速度快等特性优势。

不过NAND Flash本身的电子闸在读取次数越高的情况下越不稳定，且NAND Flash写入前必先全部抹除、即使是写入1bit也要全部抹除的特性，连带使得SSD读写次数有所局限。整体而言，SSD写入速度不若读取速度，也是影响SSD使用感受的问题。目前SLC架构的SSD读写次数可达10万次左右，一般为3～5万次；而MLC SSD则在5000～1万次左右。尽管MLC SSD架构却因其特性可大幅扩充储存容量，价格也较低，常应用于各类消费电子产品。不过MLC颗粒特性却会带来写入次数少、写入速度慢、可靠稳定度较差、寿命较短等问题。克服MLC架构缺憾对于提升SSD应用普及度而言，相当重要。
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