Flash技术依记忆胞结构可分为2类，如(图一)所示，NOR型之记忆胞每个记忆胞与BIT LINE相接，其记忆胞的面积较大，但具有较快之随机存取速度。 NAND型的记忆胞约16～32个记忆胞相串联后才接到BIT LINE上，记忆胞面积较小，但串列式数据存取的速度较快。因此，NOR型的快闪记忆体适用于快速随机存取之产品，以程式码储存之应用为主，密度超过64Mb以上。NAND型的快闪记忆体适用于作串列式大量资料存取之产品，故一般适用于资料码储存之应用，密度超过512Mb以上。 (图二)显示各种不同的Flash记忆胞结构及开发厂商，其中由Hitachi提供之NAND型快闪记忆体为多层记忆胞结构（Mult-level Cell），每个记忆胞可提供2bit的存取，使其在高密度之资料码储存的竞争上具有很好的优势。
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