现今很多刊物都有大量关于硅（silicon）与砷化镓（GaAs）两者比较的讨论。虽然为了增加可读性，这种比较会被绘声绘色，但事实是在无线市场中仍然有很多其他半导体技术选择。砷化镓是制造手机语音频号链路中的功率放大器（power amplifier；PA）最常用的技术，而砷化镓的特性也的确非常适合于这种应用。然而，不论是在可携式设备还是WLAN卡应用中，多媒体存取的发展趋势不断成长，这要求另一种讯号链路，能具有以下的特点：占位面积小、功耗低和提供多模多频带性能。而能满足上述所有要求的解决方案无疑就是硅半导体制程，比如硅锗（SiGe）。本文将详细探讨硅锗的特性，并特别针对多模无线存取应用将之与砷化镓进行比较。

虽然无线组件正面对着减小占位面积、增加功能性和降低功耗的挑战，但说到底，真正决定终端产品成功与否的是客户是否获得良好的使用体验。一直以来，硅是一种高整合度的低成本材料，自然成为了整个半导体产业的优先选择。但随着无线设备的工作频率开始提高，传统硅CMOS制程就显得局限，因此产业界需要更具创新性的解决方案。当时砷化镓和锗硅制程都正在开发当中，而由于砷化镓首先展现出可以实现大输出功率、高频应用的能力，因此砷化镓在手机PA中找到了位置。另一方面，硅锗也进入了大宗生产阶段，并证明了特别适用于例如行动设备等高功能性整合和低可变工作电压的应用。

PA设计
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