前言

越来越多的终端设备，如个人计算机、服务器、网络及电信系统等，对电源水平及电源密度的需求持续增加，因此需要更高效能的组件组成电源管理系统。硅一直是增进电源管理系统效能之最重要因素。然而，硅科技经年累月的进步已经大幅降低了MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor；MOSFET）的RDS(ON)及功率半导体所产生的热能，使得封装成为器件达到更高效能的限制。随着系统电流的需求急速增加，众多先进的功率MOSFET封装被引入市场。主流封装类型包括DPAK、SO-8、CopperStrap SO-8、PowerPak、LFPAK、DirectFET及iPOWIR等等。更多的选择无疑能够提供更大的设计自由度，但同时也会引起混淆，特别是对于嵌入式电源供应设计人员而言，他们只有有限的资源为这些不熟悉的器件进行试验。本文将比较每种封装方式，并特别强调嵌入式应用的不同特性，从而简化组件的选择。

新封装技术的需求
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