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双载子积体电路的ESD保护设计
 

【作者: John Dolese】2008年07月16日 星期三

浏览人次:【5307】

积体电路产品必须能够避免受到静电放电(ElectroStatic Discharge;ESD)的破坏,部分保护功能会内建于晶片内,部分则由外部的应用电路提供,为了有效进行积体电路的保护,我们必须考虑以下的几个主题:


  • ●提供晶片所面对ESD的模型


  • ●晶片内部的ESD保护电路


  • ●应用电路与晶片内部ESD保护功能的互动


  • ●修改应用电路来改善晶片的ESD保护



晶片内部的ESD保护功能可以避免过高的能量进入较敏感的电路,内部的钳位电路可以避免晶片受到过电压破坏,外部应用电路中的去耦合电容则可以将ESD电压限制在安全的范围内,但较小的去耦合电容却可能会对晶片内部保护电路的运作造成干扰,因此在使用较小的去耦合电容时,可能需要加上外部的ESD电压钳位保护。


ESD发送模型
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