新一代MOSFET封装技术DirectFET，具备小体积、低高度及回路单纯等特点，其中最重要的是拥有电子与散热优势；此种为功率元件设计的封装新方式，在所有与尺寸相关的条件上都比传统封装有所改进，例如极低的寄生电感、电阻以及热阻值。本文将介绍DirectFET的稳态热传效应，并说明它如何能被表现为三个热阻数值；这些数值能为其特别的散热环境产生一最大功率或电流额定功率。

传统封装的温度传导模式

有一种相当简单的方式能评估「传统封装」的额定功率，例如 (图一)中所示之 TO-220。
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