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与CMOS兼容的嵌入式非挥发性内存之挑战与解决方案
 

【作者: Jiankang Bu, William Belcher, Courtney Parker, Hank Prosack】2006年11月22日 星期三

浏览人次:【13115】

前言

从模拟微调应用中的位级、一直到数据或代码储存的千位等级,CMOS 兼容的单一多芯片嵌入式 NVM 的应用范围越来越广。CMOS 的兼容性设计,却给工程师带来必须克服保存和耐久性的挑战,因为浮动闸直接与后端晶体管接触,所以在高温下,数据保存力很差。泄漏和添加剂外形没有针对热载流子的产生和注入进行优化。循环导致氧化物损害严重,使得耐久力变差。本文所介绍的一些机制和解决方案,可验证出实验结果与理论分析是趋于一致的。


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