图一 : 尽管硅基板已有显著进展，不过蓝宝石基板不管在成本效益和效能方面仍持续提升，也筑高了新兴技术想要超越的障碍。

近年来LED产业面临极大的挑战，由于众所寄望的照明市场迟迟未能快速兴起，造成供过于求与价格下滑的严峻压力。为了进一步降低成本，试图在新材料领域有所突破，便成为业者努力的另一个方向。

而采用矽基板制造LED元件，可说业界长久以来的梦想。原因很简单，因为矽基板比现行的蓝宝石基板成本低了许多，而且还可发挥既有的半导体制造基础建设优势，特别是，目前有许多已完全折旧的8吋晶圆设备，若能用来制造LED将更能享有成本与产能优势。

但是，这样的成本优势却因为制造困难度的障碍，使得多年来GaN-on-Si（氮化镓矽基板）技术一直无法有显著的突破。主要原因是，矽晶与GaN材料的晶格常数与热膨胀系数不同，受热时会因晶格错位而产生应变，造成GaN-on-Si晶圆的破裂和扭曲。虽然蓝宝石基板也会有同样的问题，但因蓝宝石的硬度较高，较不容易发生严重的扭曲。
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