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下一代行动SoC大对决!
12罗汉决战2013!

【作者: 鍾榮峯】2011年03月15日 星期二

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今年是下一代行动装置的起飞年。撇开规格尺寸究竟为何的猜测,从各晶片大厂在2月中巴塞隆纳的行动通讯大会(MWC 2011)期间、陆续公布的最新行动平台方案可以归纳出,行动系统单晶片(SoC)架构已成为各晶片大厂清楚规划在智慧型手机和平板装置领域发展蓝图的核心。


28奈米行动SoC将席卷市场

计画在今年第3季进入量产阶段的行动SoC晶片,多采用目前较为成熟的45/40奈米制程,而在今年年底量产的行动SoC,则可进入32奈米制程。制程技术的升级,攸关下一代行动SoC低功耗效能,但面对行动装置市场的瞬息万变,晶片大厂在推估自家产品问世和效能竞争力之间的最佳时机点,颇需要一番考量。德州仪器(TI)、高通(Qualcomm)和ST-Ericsson规划下一代行动SoC蓝图,就是以先进28奈米制程为制高点;英特尔和超微(AMD),则选择以32奈米作为切入点;博通(Broadcom)、三星电子(Samsung)和联发科(MediaTek),主攻45/40奈米行动SoC产品欲站稳先机。英伟达(Nvidia)则是采取先推出40奈米行动SoC产品、明年下半年改采28奈米制程的过渡策略。
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