开关式升压器芯片已被广泛的应用。利用电感器提升电压的基本原理早在几十年前已有人论及。部分升压器采用电路的开关控制部分，部分升压器内建开关（一般采用MOSFET），这两类升压器都大受欢迎。将MOSFET开关与开关控制区段装设在同一晶粒上有其优点及缺点。优点是大幅精简系统设计，缺点是效能无法与采用外置开关的设计相比，两者在效能上的差距太大。

采用外置MOSFET的直流/直流开关电源供应器有多个优点，例如作业频率不但可以大幅提高，效率也有所提升。有部分厂商最近推出内含MOSFET的直流/直流升压器芯片，一反传统的做法。虽然根据基本的原理，MOSFET若设于芯片之外，系统可发挥更高的效能，在集成电路的设计及制程技术经过不断的推陈出新，目前内含MOSFET的升压器已能高于1MHz的频率进行作业。

新兴直流升压器设计
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