砷化镓(GaAs) 和异质介面双极电晶体(Hetero-junction Bipolar Transistor, HBT)技术的结合，不但能在多元的应用上提供卓越的性能，并且由于元件较严谨的直流特性与射频参数的分布特性、较小的晶粒尺寸、较高的制作可重覆性，使得生产成本大大下降。这些特点同其他射频积体电路相比是非常受欢迎的。

《图一 磷化铟镓(InGaP)HBT的结构》

砷化铝镓

传统的砷化铝镓(AlGaAs)HBT结构比较常见。早期，这种结构里的P＋基极区需要使用分子束磊晶MBE(molecular beam epitaxy)设备掺杂金属元素铍(Be)。这种技术可以提供增强的性能，并且降低制作成本。
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