NOR與NAND快閃記憶體從於1986年問世至今，20年間已延展9個世代。記憶體種類和MLC技術的延展帶給手機與數位相機市場高密度的程式碼與可移除資料儲存媒體。本文將討論快閃記憶體延展將如何繼續催生新解決方案，包括行動通訊與個人電腦運算平台。新 DDR NOR快閃記憶體介面將使行動應用(如3G/UMTS手機)以更高效能(133MHz與更高)執行程式碼。非揮發性記憶體 (NVM) 磁碟快取記憶體正開始成為個人電腦運算與其他應用重要與可行的子系統。將NAND Flash 加入個人電腦記憶體階層可提生效能、減少耗電、並提供更豐富的使用經驗。雖然記憶體技術延展仍存在挑戰，快閃記憶體解決方案將持續進化，以更低耗電，以及更多元和高效率的解決方案，滿足種類不斷變化的應用需求。

簡介

對系統平台設計師而言，快閃記憶體延展的優點包括密度更高、效能提升、與耗電減少。但對快閃記憶體晶片設計師而言，延展不僅帶來製程與原件層面的優點，也帶來新設計挑戰。技術核心電壓 (VCC)、輸入/輸出 (VCCQ)電壓、與外部programming電壓 (VPP) 也隨之延展。
...
...