藉由降低功率損耗和提高牽引逆變器系統效率，將會影響電動車（EV）的電力系統及製造流程中的熱性能、系統重量、尺寸和成本。本文說明如何在EV牽引逆變器中驅動碳化矽（SiC）MOSFET，透過降低電阻和開關損耗來提高效率，同時增加功率和電流密度。

隨著電動車（EV）製造商之間為了開發成本更低、續航里程更長的車型所進行的競爭日益激烈，電力系統工程師必須設法藉由降低功率損耗和提高牽引逆變器系統效率，來提升續航里程並增加競爭優勢。效率與較低的功率損耗有關，而這會影響熱性能、系統重量、尺寸和成本。降低功率損耗的需求將隨著開發功率更高的逆變器而持續存在，尤其是在這每輛汽車的馬達數量增加以及卡車轉向純電動車發展的現況下。

牽引逆變器長久以來使用絕緣柵雙極電晶體（IGBT）。不過，隨著半導體技術進步，碳化矽（SiC）金屬氧化物半導體場效應電晶體（MOSFET）不僅能夠提供比IGBT更高頻率的開關能力，還能透過降低電阻和開關損耗來提高效率，同時增加功率和電流密度。
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