隨著積體電路日益縮小，對污染的忍受度也越來越低，CMP 後清潔作業成為製程中更加關鍵的步驟。必須進行這道清潔步驟，才能製備後續步驟所需的晶圓，若清潔效果理想，也有助於提高裝置的最終產量。所面臨的挑戰在於，在這道步驟中要移除的污染物相當多，但用於移除的化學品必須具備相當的選擇性特性，且不會損害先前已安置妥當的表面材料與結構。從 10 奈米開始，高階節點中已引進了許多新材料，因此我們必須重新配製原有的 PlanarClean化學品，使其相容於這些新材料 (並不會損害這些材料)。最根本的關鍵在於，高階節點的容錯空間已越來越小。

這款新 PlanarClean AG 是 PlanarCleanpCMP 清潔溶液產品系列的「先進世代」配方，也就是說，這不僅是舊款化學品的全新版本，還經過特別設計，可為講究清除所有污染物的高階節點，提供新的清潔機制。因此，應將其視為全新的清潔平台。透過調製，不會損壞、蝕刻或移除高階節點的新材料，例如鈷和鎢。從前我們無法真側到晶圓表面上的某些 (極小型) 污染物，但現在已可偵測到，還必須加以清除。

三大功能
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