相较于先前的检测电路，新电路的占位面积更小，在偏移和无匹配方面，也有更好的稳健性。原型电路采用5um BCDMOS制程，有效面积为0.0625mm2。测量结果显示：原型电路在检测3.85V低电压和过压时具有650mV的磁滞，在48.45V检测时具有700mV的磁滞，而在模拟时，在12V电压下耗电量达18.7uA。

前言

智慧型高侧开关已广泛地应用于许多领域，例如：工业、汽车、家用电器等。一般来说，智慧型高侧开关的控制部分具有过流检测和开路负载检测等自我诊断功能，以防止因故障而造成的破坏。控制部分所提供的一种主要诊断功能是低电压和过压(UVOV)检测，在电源电压超出工作电压范围时关断高侧开关，从而避免因电源暂时的供电电压下降或过压而引起崩溃。在先前的UVOV检测电路中，通常采用带有两种恒定参考电压信号的两个比较器来实现UVOV检测，这两个比较器可应用在较低和较高电源电压的限制。但是，由于使用了两个比较器，也带来了一些缺点，如矽片面积大、功耗大和复杂性高等。在本文中，快捷半导体提出一种仅使用一个电压检测器而非两个比较器的新颖UVOV检测电路，能够轻易地在不同制程之间进行转移并降低整体的成本。
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