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MRAM──更具行动应用前景的新世代记忆体
 

【作者: 陳俊儒】2004年11月04日 星期四

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物质的磁性在数千年前被发现及被应用,但直到数十年前(1900~)实验与理论科学爆炸性的发展,才使大众得知物质是由很多小颗粒(例如:中子、质子、电子...等)所组成,于是开始进一步去了解物性的本质。


磁性是自旋电子在物质中集体行为的表现,铁磁性的产生是上旋或下旋电子往某一方向作有序的排列,使电子自旋能有序排列的力量称为交互作用力( Exchange Force)。交互作用完全是量子力学效应,其作用范围只有数埃,电子在物质内运动会因散射、热扰动...等因素,使得自旋的平均值为零,因此在巨观测量中不被察觉。然而由于近年奈米制程与测量技术的进步,使得在微观与介观的世界下电子的自旋自由度是多么的真实和具体,不但能探讨其物理特性并可将它与工业技术结合。


电子带有电荷及自旋特性,前者的应用却造就了半导体电子工业并大幅改变了我们传统的生活,然而电子的自旋特性在过去只是理论科学的产物,目前因为奈米制程技术的进步及巨磁阻(Giant Magnetoresistance;GMR)及穿隧式磁阻(Tunnel Magnetoresistance;TMR)的发现,将使我们能够突破过去的障碍而能够真正应用电子的自旋性,故自旋电子(Spintronics)元件成为奈米电子重要技术之一,而MRAM(Magnetic Random Access Memory;磁阻式随机存取记忆体)又是自旋电子元件中短期内最可能实用化的应用产品技术。
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