由于附设摄影镜头的移动电话（以下简称为照相手机）与数字相机的画素数快速增加，造成记录像像的非挥发性内存几乎都采用闪存（flash memory）奇特现象，虽然2003年陆续出现新型非挥发性记忆IC，试图夺取闪存庞大的市场，不过一般认为今后数年内具备价格优势的闪存，仍将持续维持独霸一隅的局面，未来新型的FeRAM与MRAM将会取代闪存，成为SoC混载市场的新霸主，不过在此同时「RRAM」的发展动向也备受嘱目，因为「RRAM」具备革命性低价实力与动作特性实在不容小觑。

发展经纬

继FeRAM（强诱电内存)、MRAM（Magnetic RAM)与OUM（Ovonic Unified Memory）之后，Sharp早在数年前就悄悄展开RRAM（Resistance RAM）IC的研发，并在2002年12月于旧金山召开的「2002 IDEM（International Electron Devices Meeting）」大会正式对外发表RRAM IC。如(图一)所示由于RRAM是目前唯一能与具备低成本竞争力的闪存对抗的非挥发性内存，因此一般认为RRAM若能商品化，未来将成为革命性内存。在此同时闪存预定在2007年采用65nm制程量产；NAND Type可望进入55nm制程，这意味着喧腾一时的「物理极限论」，随着制程微细化，例如以往认为Tunnel SiO2的厚度极限无法超越8nm，不过韩国三星在2002年IDEM却以7nm的记录，轻易戳破8nm的极限迷失，使得所谓物理极限论再度受到质疑。
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