为了使现代电源更紧凑和高效，电源设计人员越来越倾向选用高频应用。开关电源采用高频工作可以缩小变压器的尺寸，进而增加电源的功率密度。高频工作也有助于改善电源的电磁干扰（Electro-Magnetic Interference；EMI）讯号，减少EMI元件数。因此，世界各地的电源设计人员都在研究高频应用。

然而，在实现高频电源方面存在一些障碍。功率开关、变压器铁芯材料、漏电损耗和开关损耗是阻碍大规模应用高频电源的一些障碍。随着氮化镓（GaN）/碳化矽（SiC）技术的出现和MOSFET技术的不断发展，功率开关似乎开始适用于高频电源。同样，变压器铁芯材料制造商也在不懈地努力创新高频铁芯材料。

零电压开关（Zero voltage switching ；ZVS）拓扑可以减少与功率开关相关的开关损耗。常用的ZVS拓扑如LLC、半桥转换器、全桥转换器、主动钳位返驰式、双开关顺向式转换器等。需要低、高端驱动器来实现缓冲和电平位移的功能。这些元件可以驱动高端MOSFET的门极，其原始节点为动态变化的节点。
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