概述

现今已经被确定的记忆技术可分成两种，首先是挥发性记忆体。一般而言，系统应用非挥发性记忆体来纯粹读取或者大部份以读取为主的记忆功能，因为挥发性记忆体较为困难写入。这些记忆体都是以ROM技术为基础的衍生物，包括EPROM、EEPROM以及快闪 EPROM。

第二种则是非挥发性记忆体，这些记忆体属于RAM装置，其中包括SRAM和DRAM。由于非挥发性记忆体容易写入，因此RAM就常被应用于储存经常改变的数据资料。不过当使用者能容易地将数据写入RAM 时，其很容易挥发的性质，若在电源丧失的情况下储存大量的数据资料，技术上对于工程师来说是一项挑战。铁电随机存取记忆体（FRAM），被业界认为是理想的非挥发性记忆体。FRAM 记忆体具有容易写入的优点，并且非挥发性的特性，使其十分适合作为丧失电源时储存数据的记忆体。供货数量有限的FRAM 产品已经问世数年，技术现正迅速发展，逐渐引导成为记忆体的主流。以下的技术注解，将提供简短的操作解释，并简单概述其开发现况。
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