美国国家半导体（NS）为供电电压介于0.9～12V之间的运算放大器开发了VIP50制程技术，VIP是垂直整合PNP制程技术的简称。VIP50制程技术是一种采用绝缘硅（SOI）的BiCMOS制程，其中采用的薄膜电阻不仅可以微调，而且精确度高，因此利用VIP50制程制造的产品无论在电源使用效率、噪讯水平及精确度的表现上都比NS的旧型号IC及许多竞争厂商的产品更好。而系统设计工程师也可利用这种制程技术开发性能更高的燃料喷射、传送系统、医疗设备与诊断工具。以12MHz单位增益带宽的放大器产品为例，新的制程比起采用SOT及SC70封装的主要竞争产品可节省多达九成的耗电量。

《图一 NS放大器产品技术营销经理Carlos Sanchez》

NS放大器产品技术营销经理Carlos Sanchez表示，VIP50制程主要是将晶体管装设于绝缘硅（SOI）芯片之上，然后以沟槽相互隔离。这种以沟槽隔离的设计可将寄生电容减至最少，并可以大幅提高放大器的带宽/功率比。这种隔离制程的另一个优点就是即使讯号电压高于供电电压，芯片内的晶体管仍可调节有关的讯号。此外，由于绝缘硅可以防止漏电情况的发生，因此即使在工厂或车用IC等极高温度的环境之下运作，也不会对放大器的性能产生任何不利的影响。
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