由于5G、电动车、高频无线通讯及国防航太等新兴科技趋势的兴起，产业对于高频率、低耗损的表现需求日益增加，如何在高温、高频率及高电压等恶劣环境作业下损失较少功率的化合物半导体材料，备受产业期待。而基于碳化矽（SiC）晶片制作宽能隙半导体的器件，能够满足传统矽基半导体所不能满足的诸多优点。

放眼全球化合物半导体大厂，碳化矽（SiC）晶圆的供应以美国大厂Cree为首，是具有上下游整合制造能力的整合元件制造商（IDM），在碳化矽之全球市占率高达六至七成。磊晶厂则以美国的II-VI Incorporated为代表；模组厂包括欧系的意法半导体（STM）、英飞凌（Infineon）、日本的罗姆（Rohm）和三菱电机（Mitsubishi Electric）等。

在半导体材料领域，台湾的环球晶为全球第三大半导体矽晶圆供应商，除了产品布局的组合多元，提供半导体材料「一站式购买」服务，并且在碳化矽晶片领域积极布局掌握关键技术。
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