今天，全耗尽型绝缘层上矽（FDSOI）CMOS技术因超高开关速度、超低功耗（ULP）和适中的成本而引起业界广泛的关注。在这种情况下，物联网（IoT）和射频用超薄体矽BOX层（UTBB）元件预计达数十亿个。这项先进技术有很多特点。超薄元件将会受益于可调阈压值、低泄漏电流和优化的寄生电容、迁移率和亚压值斜率（SS）[1-3]。

现在重点介绍能带调制元件（FED [4–6]、Z2-FET [7–10]和Z3-FET [11, 12]），应用广泛，可用于研制ESD [13–16]防护组件、记忆体[5, 17–19]和快速逻辑元件。 [4].参考文献[8]提出的标准Z2-FET具有快速开关、低泄漏电流和可调触发电压。通过比较发现，无前栅的 Z3-FET [ref]的触发电压 Vt1 更高，同时双接地区域使其能够承受高电压。标准 Z2-FET的升级版因市场对更高的Vt1 电压和超低功耗的需求而产生，采用先进的FDSOI技术，在前栅下面增加一个N型接地区域, 称之为 Z2-FET DGP。
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