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深入解析新型Power Clip 33 Dual MOSFET
实现更高功率密度的方法

【作者: SG Yoon;Arthur Black】2013年10月07日 星期一

浏览人次:【11602】

在电源方面,找到一种提高功率密度的方法(即单位体积内产生更高功率)可实现许多关键设计优势,包括更小尺寸、更轻重量、更高效率以及更低物料成本。毋庸置疑,许多设计者选择电源元件时,将功率密度视为最重要的指标之一 。


在典型的动力系统中,设计者通常期望能改善功率密度之处就是Power MOSFET。近年来,半导体公司在这些元件的功率密度方面做出了极大地改进,但设计者们仍试图继续改善已存在的问题。


近期设计的新元件-快捷 FDPC8011S power clip 33 非对称 dual MOSFET表明仍有方法可以极大地改进功率密度。本文论述了 power clip 33 设计团队研究于更小封装内实现更高效能的设计思路。
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